NTB60N06T4G的技术参数

产品型号:NTB60N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:60 V, 60 A功率MOSFET价格/1片(套):¥11.20