NTB75N06T4G的技术参数

产品型号:NTB75N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:75 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥18.00