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NTB85N03T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 16:15:14上传 PDF文件 26KB 热度 7次
产品型号:NTB85N03T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~150描述:85A,28V功率MOSFET价格/1片(套):¥7.20
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