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NTB75N06G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:01:10上传 PDF文件 26KB 热度 7次
产品型号:NTB75N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-55~150描述:60V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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