NTB35N15T4G的技术参数

产品型号:NTB35N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:37 A, 150 V功率MOSFET价格/1片(套):¥16.00