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NTB75N06LT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 05:28:16上传 PDF文件 25.67KB 热度 12次
产品型号:NTB75N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-55~150描述:60V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):¥15.00
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