1. 首页
  2. 信息化
  3. 企业管理
  4. NTB45N06T4G的技术参数

NTB45N06T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:03:33上传 PDF文件 25.79KB 热度 14次
产品型号:NTB45N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:45 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥7.10
下载地址
用户评论