1. 首页
  2. 移动开发
  3. bada
  4. NTB30N06G的技术参数

NTB30N06G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:13:53上传 PDF文件 25.9KB 热度 5次
产品型号:NTB30N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):27通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK /-55 ~150描述:30 A, 60 V 功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00
用户评论