1. 首页
  2. 存储
  3. Dell
  4. NTB30N06的技术参数

NTB30N06的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:26:07上传 PDF文件 26.13KB 热度 4次
产品型号:NTB30N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:-封装/温度(°C):D2PAK/-55~175描述:30A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥5.40
用户评论