NTB30N20T4G的技术参数 上传者：jordanlsw 2020-12-13 07:21:02上传 PDF文件 26.01KB 热度 18次 产品型号:NTB30N20T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:30 A, 200 V功率MOSFET价格/1片(套):¥16.40 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
