NTB25P06T4G的技术参数

产品型号:NTB25P06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):82最大漏极电流Id(on)(A):27.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:-60 V, -27.5 A功率MOSFET价格/1片(套):¥7.40