NTB5605PT4G的技术参数 上传者：waninlezu 2020-12-13 06:23:29上传 PDF文件 26.01KB 热度 28次 产品型号:NTB5605PT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):18.500通道极性:P封装/温度(°C):D2PAK-3/-55~175描述:-60V,-18.5AP沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
