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NTB5605PG的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:45:33上传 PDF文件 25.92KB 热度 12次
产品型号:NTB5605PG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):18.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:- 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00
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