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热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

上传者: 2020-07-17 00:39:55上传 PDF文件 2.46MB 热度 23次
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料,在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料,限制了器件性能的进一步提高。因此,如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。
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