论文研究ECRMOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究 .pdf 上传者：Xieminsen 2019-09-04 05:32:49上传 PDF文件 914.69KB 热度 56次 ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究，薛永奇，陈俊芳，采用电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ECR-MOCVD）在（0001）面蓝宝石衬底上低温（450oC)外延生长了GaN薄膜。通过等离子体的发射� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
