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论文研究GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响 .pdf

上传者: 2020-04-26 02:09:14上传 PDF文件 735.68KB 热度 30次
GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响,庄睿,夏晓川,通过选择不同温度采用热氧化方式,在GaN基板上预先形成氧化镓薄层,而后以高纯氧气和三乙基镓为反应源,利用低压金属有机化合物气
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