论文研究GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响 .pdf 上传者：houguof 2020-04-26 02:09:14上传 PDF文件 735.68KB 热度 57次 GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响，庄睿，夏晓川，通过选择不同温度采用热氧化方式，在GaN基板上预先形成氧化镓薄层，而后以高纯氧气和三乙基镓为反应源，利用低压金属有机化合物气 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
