热处理对STO 铁电薄膜微结构的影响

摘 要: 系统研究了CFA 与RTA 两种热处理方式以及热处理温度和时间对STO 薄膜微结构的影响。STO 薄膜采用脉冲激光沉积法( PLD) 制备。采用原子力显微镜(AFM) 和XRD 分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析。结果表明,在热处理温度650~800 °C范围内,相对于CFA、STO 薄膜经RTA 热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密。两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA 与CFA 相比薄膜的晶粒较小, 两种热处理方法的最大晶粒尺寸都< 120nm。但XRD 分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA