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论文研究喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf

上传者: 2019-09-10 06:13:11上传 PDF文件 512.79KB 热度 32次
喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响,张鑫,梁红伟,使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生长,通过对喷淋头高度这一参数调整得到不同的几组GaN样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)及白�
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