论文研究SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf 上传者：xin9707635 2019-09-10 06:13:12上传 PDF文件 375.48KB 热度 42次 SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD）方法，在相同的条件下在不同倾角的Si面6H-SiC衬底上生长GaN外延层。采用原子力显微镜(AFM)观察GaN表�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 xin9707635 资源：19598 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
