气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

Name: 气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响
Rating: 4.5 (37 reviews)
Author: l11828

上传者：l11828 2021-05-05 07:20:09上传 PDF文件 1.23MB 热度 37次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

大小：1.23MB | 2021-05-05 07:20:09
热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺乏合适的衬底材料，限制...

大小：2.46MB | 2020-07-17 00:39:55
DFT研究GaN MOCVD生长的加合物React路径

DFT研究GaN MOCVD生长的加合物React路径

大小：762KB | 2021-04-18 00:06:53
论文研究喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，张鑫，梁红伟，使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生...

大小：0B | 2019-09-10 06:13:11
论文研究SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MO...

大小：0B | 2019-09-10 06:13:12
垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响

垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响

大小：542KB | 2021-04-21 19:35:34
论文研究GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响.pdf

GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响，庄睿，夏晓川，通过选择不同温度采用热氧化方...

大小：0B | 2020-04-26 02:09:14
掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝...

大小：1.19MB | 2021-04-20 13:26:58
自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究

结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。...

大小：429KB | 2021-04-27 03:09:22
气流混合对生长GaN Si膜性能影响的研究

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的...

大小：184KB | 2021-02-22 07:00:03
AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

大小：1.5MB | 2021-04-21 19:35:30
生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs AlGaAs量子阱质量的影响

生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

大小：1.89MB | 2021-04-03 06:10:45
注氮对采空区松散煤体中气体分布的影响

通过分析采空区原有气体的运移特征,得出影响采空区注氮效果的主要影响因素;再通过建立采空区注氮防灭火惰...

大小：478KB | 2020-08-17 22:39:44
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了...

大小：3.19MB | 2021-02-10 03:50:10
合成参数对MOCVD法生长氧化锌纳米针的影响

使用脉冲液滴注入式MOCVD,在金膜裹覆的MgO(100)衬底上于500°C合成氧化锌纳米针.纳米针...

大小：429KB | 2021-02-23 22:51:38
喷嘴工件距对激光切缝中气体流场的影响

以锥型和收敛型两种典型的会聚型喷嘴为对象,建立了包含工件的激光切割平面对称三维撞击射流模型,采用N-...

大小：5.05MB | 2021-05-08 14:03:42