Mn掺杂对MOCVD生长的(GaMn)N薄膜中氮空位的影响

我们已经研究了锰掺杂引起的氮空位(VN)对通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的(Ga,Mn)N薄膜的电子结构和传输性能的影响。 (Ga,Mn)N膜中n型载流子浓度的显着增加归因于由Mn掺杂引起的额外的VN。 随温度变化的霍尔数据表明,附加的VN是(Ga,Mn)N薄膜在较高温度区域的主要散射机制。 (Ga,Mn)N膜的Mn L-2,L-3 X射线吸收光谱显示多重结构,表明Mn离子主要以Mn2 +(d(5))状态存在。 这些可以归因于电子从VN转移,这与电学性质非常一致。 提出了一种涉及电荷转移的能级模型来解释观察到的电子结构和系统中的传输性质。