电子测量中的晶圆电测良品率公式

理解及较为准确预测晶圆电测良品率的能力是对一个赢利且可靠的芯片供应商的基本要求。多年来,许多把工艺制程、缺陷密度和芯片尺寸参数与晶圆电测良品率联系起来的模型被开发出来。图6.12给出了四种良品率模型的公式。每一个将不同的参数和晶圆电测良品率联系起来。随着芯片模尺寸的增大,工艺制程步骤的增加,以及特征工艺尺寸的减小,芯片对较小缺陷的敏感性增加了并且更多的背景缺陷变成了致命缺陷。 a.指数函数 b.Seeds c.Murphy d.负二项式 Y=合格芯片模数与总芯片模数的比例 A=芯片模面积 D=缺陷密度 n=光刻步骤数 r=晶圆半径 *=群数因子(通常=2) 图6.12 晶圆电测良品率模型 指数