MTD6N15T4G的技术参数 上传者：koma_wind 2020-12-13 13:52:14上传 PDF文件 25.84KB 热度 42次 产品型号:MTD6N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):4DPAK/-55~150描述:6A,150V,DPAK,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):暂无 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
