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NTD18N06T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 07:27:25上传 PDF文件 25.83KB 热度 5次
产品型号:NTD18N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:60V,18A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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