MTD6N20ET4G的技术参数 上传者：u63573 2020-12-13 10:04:11上传 PDF文件 26.22KB 热度 25次 产品型号:MTD6N20ET4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):3DPAK/-55~150描述:6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥6.86 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
