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论文研究通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究 .pdf

上传者: 2019-09-14 01:40:29上传 其他文档文件 717KB 热度 32次
通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究,顾林,,55纳米低功耗平台(55LP)的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题,主要表现为两个方面:1.器件速度偏慢导致的晶圆边缘(W/E)Mbist�
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