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通过MOCVD生长具有厚InGaN中间层的GaN外延层的应变和微观结构

上传者: 2021-04-25 17:09:37上传 PDF文件 716.05KB 热度 7次
通过MOCVD生长具有厚InGaN中间层的GaN外延层的应变和微观结构
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