AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

Name: AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响
Rating: 4.5 (42 reviews)
Author: 腾飞软件工作室

上传者：腾飞软件工作室 2021-04-21 19:35:30上传 PDF文件 1.5MB 热度 42次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

大小：1.5MB | 2021-04-21 19:35:30
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了...

大小：3.19MB | 2021-02-10 03:50:10
双缓冲层结构对蓝宝石上AlN外延生长的影响

提出了包括隔离层和成核层的双重AlN缓冲层结构,以通过金属有机化学气相沉积来改善蓝宝石衬底上的AlN...

大小：962KB | 2021-04-20 10:44:19
行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响

针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition...

大小：3.61MB | 2021-01-30 11:54:49
AlN单晶生长行为研究

本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明Al...

大小：3.81MB | 2021-05-04 22:37:37
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN AlN GaN HEMT材料电学性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/Ga...

大小：1.81MB | 2021-02-19 07:57:06
生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs AlGaAs量子阱质量的影响

生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

大小：1.89MB | 2021-04-03 06:10:45
MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性

我们调查了生长温度的依赖性客栈通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的薄膜。实验结果表明,生...

大小：681KB | 2021-02-23 22:51:49
在Si111上生长的AlN膜的特性

在Si(111)上生长的AlN膜的特性

大小：3.25MB | 2021-04-20 10:44:29
合成参数对MOCVD法生长氧化锌纳米针的影响

使用脉冲液滴注入式MOCVD,在金膜裹覆的MgO(100)衬底上于500°C合成氧化锌纳米针.纳米针...

大小：429KB | 2021-02-23 22:51:38
热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺乏合适的衬底材料，限制...

大小：2.46MB | 2020-07-17 00:39:55
AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响

AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响

大小：1.21MB | 2021-04-08 16:24:32
高温AlN插入层对AlGaN GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,Al...

大小：619KB | 2021-02-23 12:13:18
PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战

氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·°C))、高击穿场强(...

大小：3.59MB | 2021-02-23 12:13:24
论文研究SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MO...

大小：0B | 2019-09-10 06:13:12
论文研究喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，张鑫，梁红伟，使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生...

大小：0B | 2019-09-10 06:13:11