高k HfO_2栅介质淀积后退火工艺研究

Name: 高k HfO_2栅介质淀积后退火工艺研究
Rating: 4.5 (25 reviews)
Author: sjzbxyz

上传者：sjzbxyz 2021-04-20 01:14:44上传 PDF文件 383.76KB 热度 25次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

高k HfO_2栅介质淀积后退火工艺研究

高k HfO_2栅介质淀积后退火工艺研究

大小：384KB | 2021-04-20 01:14:44
薄膜淀积速率

硅集成电路课堂上的作业,关于薄膜淀积速率的内容,适用于硅集成电路课程的同学使用

大小：246KB | 2020-08-23 01:50:32
具有高K HfO2栅极电介质的ZnO MOS电容器的制备和特性

具有高K HfO2栅极电介质的ZnO MOS电容器的制备和特性

大小：646KB | 2021-04-20 01:14:40
不同退火过程对紫外HfO

采用直升式和阶梯式加热法对电子束热蒸发镀制出的HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜进行了40...

大小：1.32MB | 2021-02-19 08:37:23
反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时...

大小：888KB | 2021-03-06 04:08:32
介质制备工艺的研究

介绍了干式加介流程、新悬浮液-合格介质桶加介流程、新悬浮液-稀介质桶加介流程和加介磁选机加介流程4种...

大小：739KB | 2020-07-28 23:33:32
磁控溅射和后退火法制备的FeAu FePt交换弹簧介质

磁控溅射和后退火法制备的FeAu / FePt交换弹簧介质

大小：344KB | 2021-03-31 11:30:16
满足65纳米以下工艺的新型物理气相淀积源

摘要:一种基于高功率密度概念的新型PVD溅射源大大地增加了金属离子所占的比例,因而提高了Cu金属化的...

大小：108KB | 2020-12-12 14:33:17
论文研究高κLaAlO3栅介质的边缘寄生电容效应研究.pdf

高κLaAlO3栅介质的边缘寄生电容效应研究，刘红侠，张昊，本文主要研究了采用高κ栅介质时普遍存在的...

大小：0B | 2019-09-04 03:57:02
一文读懂HfTiO高栅介质GeMOS电容.pdf

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在 Ge 衬底上分别制备了 HfO2 和 H fTiO 高介电常数...

大小：1.58MB | 2020-07-18 13:13:49
论文研究界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响.pdf

界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响，刘红侠，张言雷，本文详细讨论了采用原子层淀积技术（ALD）...

大小：0B | 2019-09-21 01:20:06
缺陷相互作用对掺杂HfO_2基RRAM均匀性的影响第一个原理研究

缺陷相互作用对掺杂HfO_2基RRAM均匀性的影响:第一个原理研究

大小：1.44MB | 2021-03-14 04:32:47
离子辅助淀积镀膜技术的应用

在亚利桑那大学和其它单位正在继续进行一项有很大希望的离子辅助淀积镀膜技术。用普通方法淀积的透射膜,各...

大小：656KB | 2021-02-24 02:52:01
P2HFO纳米复合材料深度除磷工艺中试研究

P2@HFO纳米复合材料深度除磷工艺中试研究，肖莉莉，谢英梅，摘要：作为水体富营养化的关键影响因子，...

大小：337KB | 2020-07-18 09:08:12
热蒸发和离子辅助淀积氟化镱红外薄膜特性研究

研究了热蒸发法和80,120 V偏压下的氩离子辅助淀积的氟化镱(YbF3)红外薄膜的光学特性和微观结...

大小：2.13MB | 2021-02-21 08:01:07
论文研究CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路.pdf

CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路，高雪莲，骆丽，共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效...

大小：0B | 2019-10-17 19:29:49