一文读懂HfTiO高栅介质GeMOS电容.pdf

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在 Ge 衬底上分别制备了 HfO2 和 H fTiO 高介电常数( k) 栅介 质薄膜。电特性测量表明, H fTiO 样品由于 Ti 元素的引入有效提高了栅介质的介电常数, 减小了等效氧化物厚 度, 但同时也使界面态密度有所增加。控制 HfT iO 中 Ti 的含量及表面预处理工艺有望改善 H fTiO/ Ge 界面质量。