满足65纳米以下工艺的新型物理气相淀积源

摘要:一种基于高功率密度概念的新型PVD溅射源大大地增加了金属离子所占的比例,因而提高了Cu金属化的阶梯覆盖能力和空隙填充能力。通过超薄种子层(300?)的PVD工艺,我们已经在目前能达到的最前端结构(深宽比4:1的55纳米渠沟和深宽比4:1的0.1微米接触孔)中成功地实现了化学电镀(ECP)空隙填充。基于90纳米节点技术的测试结构(包括参数和应力迁移)的电性能测试结果等于或优于当前的种子层工艺。这种新型溅射源有望能够延长集成电路工业中PVD的工作寿命。 由于PVD具有很好的灵活性和高性价比,它仍是当今集成电路工业中金属淀积的一种候选方法。当每个技术节点中的特征长度变得越来越小的时候