(GaMn)N中的正电子an没:空位型缺陷的研究

采用正电子an没技术研究了金属有机化学气相沉积法制备的(Ga,Mn)N薄膜中的空位缺陷。 测量薄膜的多普勒展宽光谱。 与未掺杂的GaN薄膜相比,(Ga,Mn)N薄膜中的正电子俘获缺陷已变为新型缺陷,并且其浓度随着Mn浓度的增加而增加。 通过分析SW相关图和我们以前的结果,我们确定(Ga,Mn)N中的此类缺陷为VN-Mn-Ga络合物。 当理解真实的(Ga,Mn)N系统的磁性能时,应考虑这种类型的缺陷。