XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化(MOCVD)

王金忠1,闫玮1,王新强1,殷景志1,姜秀英1, 杨树人1, 杜国同1,高鼎三1,Xiang Liu2,Hui Cao2, Junying Xu2, R.P.H.Chang2 (1.吉林大学 电子工程系 集成光电子学国家联合重点实验室,吉林 长春 130023; 2.美国西北大学材料研究中心,伊利诺斯 60208) 摘 要:利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束