NTMS7N03R2G的技术参数

产品型号:NTMS7N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:7 A, 30 V 功率MOSFET价格/1片(套):¥4.00