NTD65N03R 1G的技术参数

产品型号:NTD65N03R-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无