NTD40N03R 1G的技术参数

产品型号:NTD40N03R-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):16.500最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 3/-55 ~150描述:45A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):¥3.00