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NTMD6N03R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 10:32:29上传 PDF文件 26.48KB 热度 5次
产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 6 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.39
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