NTMD6N03R2G的技术参数 上传者：qq_23779 2020-12-13 10:32:29上传 PDF文件 26.48KB 热度 36次 产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 6 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.39 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
