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NTMS5P02R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:24:36上传 PDF文件 26.19KB 热度 6次
产品型号:NTMS5P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):5.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:-20 V, -5.4 A, 功率MOSFET价格/1片(套):¥3.80
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