NTMS4704NR2G的技术参数

产品型号:NTMS4704NR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):12.300通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 12.3 A, 功率MOSFET价格/1片(套):¥4.50