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NTMS10P02R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 10:06:16上传 PDF文件 26.19KB 热度 3次
产品型号:NTMS10P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):1.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:20 V, 10 A功率MOSFET价格/1片(套):¥7.00
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