NTB23N03R的技术参数

产品型号:NTB23N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50.300最大漏极电流Id(on)(A):23通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~175描述:23A,25V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.50