元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。 飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench:registered: MOSFET,采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (WL-CSP),因而具有出色的热阻 (83°C/W) 和低RDS(ON