元器件应用中的Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK,这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET Gen III P沟道技术,该技术利用自对准工艺制程,在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺,将目前业界P沟道MOSFET的最低导通电阻减小了将近一半。 随着这种新器件的发布,采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货,其中包括耐热