元器件应用中的Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70?封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET? P沟道技术的最新器件,使用了自矫正的工艺技术,在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺,将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。 SiA433EDJ具有超低的导通电阻,在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电