电源技术中的Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET Siliconix 器件

Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET,这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封装(2.05 mm×2.05 mm)时最大导通电阻额定值为 29 毫欧,采用标准 SC-70 封装(2.0 mm×2.1 mm)时为 80 毫欧,采用 SC-89 封装(1.6 mm×1.6 mm)时为 130 毫欧。 与市场上仅次之的 MOSFET 相比,这些新型 Vishay Siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。这些新型 P 沟道 TrenchFET