元器件应用中的Vishay推出业内最低导通电阻N沟道MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP,将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V,同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。 额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是*价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM),该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nC。 与对低传导损耗和低开关损耗进行过优化的最接近的竞争器件相比,