元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd),比相同RDS (on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS (on) (16m)特性,其品质因数优值(Figure of Merit, FOM = RDS(on)×Qgd)为120。FDS3572的总门电荷在VGS =10V为31nC,有助于降低损秏;低QRR (70nC)也可降低反