元器件应用中的短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究

近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入,人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构,例如缺陷、小孔隙和晶粒等,因而也会产生散粒噪声,并且可能携带内部结构的信息。这使人们对宏观电子元器件中散粒噪声研究产生了极大的兴趣。另一方面,随着器件尺寸的不断缩小,MOSFET器件中散粒噪声成分也越来越显著,已经严重影响器件以及电路的噪声水平,人们必须要了解电子元器件中散粒噪声的产生机理和特性,以便更好的抑制器件的散粒噪声,实现器件和电路的低噪声化。 对于短沟道MOSFET器件,在室温条件下,散粒噪声被其他类型的噪声所淹没,一