电源技术中的Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。 Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度,以及1.5mm×1mm的占位面积,这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。 Si8441DB提供了1.2V VGS时0.600Ω至4.5V VGS时0.080Ω的导通电阻范围,且具有最高±5V的栅源