电源技术中的ST新推功率MOSFET系列采用最新版STripFET技术

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中,新产品实现了最低的品质因数:FOM = 导通电阻Rds(on) x栅电荷量(Qg)。 除高能效外,新款MOSFET准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STri